Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 445 A, 60 V Enhancement, 9-Pin PG-TTFN-9 IQD009N06NM5CGATMA1

RS Stock No.:: 284-929
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IQD009N06NM5CGATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 445 A, 60 V Enhancement, 9-Pin PG-TTFN-9 IQD009N06NM5CGATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB309.75

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB331.432

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

100 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 18	THB154.875	THB309.75
20 - 198	THB139.29	THB278.58
200 - 998	THB128.65	THB257.30
1000 - 1998	THB119.25	THB238.50
2000 +	THB106.88	THB213.76

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 284-929
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IQD009N06NM5CGATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	445A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	PG-TTFN-9
	Series	OptiMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	9
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.9mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	12nC
	Maximum Power Dissipation Pd	333W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 445A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type PG-TTFN-9
	Series OptiMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 9
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.9mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12nC
	Maximum Power Dissipation Pd 333W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IQD009N06NM5CGATMA1

The Infineon MOSFET features an OptiMOS 5 Power Transistor is engineered for high efficiency performance in various applications, providing stable operation at a maximum voltage of 60V. This N channel MOSFET features a low on resistance, which significantly reduces power losses, ensuring that your designs maintain optimal thermal management even under challenging conditions. With Advanced avalanche characteristics and extensive testing for reliability, this device caters to industrial applications demanding superior thermal resistance and robust performance. The Compact PG TTFN 9 packaging enhances ease of integration into existing designs, making it a go to choice for engineers looking to enhance their systems.

Very low on resistance improves efficiency

Enhanced thermal resistance for performance

Optimised for continuous and pulsed currents

Comprehensive avalanche ratings for durability

RoHS and halogen free compliant

Fully qualified per JEDEC standards

Significant savings on power dissipation

Flexible temperature range for diverse environments

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 445 A, 60 V Enhancement, 9-Pin PG-TTFN-9 IQD009N06NM5CGATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง