Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 323 A, 80 V Enhancement, 9-Pin PG-TTFN-9 IQD016N08NM5CGATMA1

RS Stock No.:: 284-932
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IQD016N08NM5CGATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 323 A, 80 V Enhancement, 9-Pin PG-TTFN-9 IQD016N08NM5CGATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB321.13

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB343.61

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

30 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 18	THB160.565	THB321.13
20 - 198	THB144.485	THB288.97
200 - 998	THB133.35	THB266.70
1000 - 1998	THB123.70	THB247.40
2000 +	THB110.835	THB221.67

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 284-932
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IQD016N08NM5CGATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	323A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Series	OptiMOS
	Package Type	PG-TTFN-9
	Mount Type	Surface
	Pin Count	9
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.57mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	106nC
	Maximum Power Dissipation Pd	333W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 323A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Series OptiMOS
	Package Type PG-TTFN-9
	Mount Type Surface
	Pin Count 9
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.57mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 106nC
	Maximum Power Dissipation Pd 333W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals JEDEC, RoHS, IEC61249-2-21
	Automotive Standard No

Datasheet - IQD016N08NM5CGATMA1

The Infineon MOSFET features an OptiMOS 5 Power Transistor is engineered to deliver exceptional performance with its Advanced N channel design. This robust component is ideally suited for applications where high efficiency and low on resistance are paramount. Operating at a breakdown voltage of 80V, it ensures reliable operation in demanding environments. With a superior thermal resistance profile, this power transistor stands up to the rigours of industrial applications, making it a go to solution for engineers looking to enhance energy efficiency in power management systems. Moreover, the extensive validation process guarantees adherence to the highest standards of reliability and safety, ensuring your designs are both performant and resilient.

N channel for efficient power conduction

Low on resistance minimizes power loss

Superior thermal management for longevity

100% avalanche tested for stability

Pb free and RoHS compliant

Halogen free construction for safety

JEDEC qualified for industrial applications

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 323 A, 80 V Enhancement, 9-Pin PG-TTFN-9 IQD016N08NM5CGATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง