Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 99 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PG-WHSON-8 IQE050N08NM5SCATMA1

RS Stock No.:: 284-774
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IQE050N08NM5SCATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 99 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PG-WHSON-8 IQE050N08NM5SCATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB483.43

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB517.27

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

100 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 45	THB96.686	THB483.43
50 - 95	THB91.836	THB459.18
100 - 495	THB85.108	THB425.54
500 - 995	THB78.278	THB391.39
1000 +	THB75.408	THB377.04

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 284-774
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IQE050N08NM5SCATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	99A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Series	OptiMOS
	Package Type	PG-WHSON-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	100W
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	35nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 99A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Series OptiMOS
	Package Type PG-WHSON-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 100W
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 35nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IQE050N08NM5SCATMA1

The Infineon MOSFET features an OptiMOS 5 Power Transistor, rated at 80V, is specifically designed to enhance the efficiency and performance of modern electronic applications. It excels in providing superior synchronous rectification, ensuring minimal energy losses and maximising overall system reliability. Thanks to its low on resistance and exceptional thermal management, this transistor is Ideal for demanding industrial applications, making it a preferred choice for engineers aiming for performance optimisation. With extensive avalanche testing and robust construction, it promises longevity in severe environments and aligns with global RoHS standards, ensuring a strong commitment to safety and sustainability.

Optimised for synchronous rectification

N channel for easy circuit integration

Low on resistance reduces heat generation

Exceptional thermal resistance prevents overheating

100% avalanche tested for reliability

Pb free lead plating for eco friendly manufacturing

Halogen free construction meets regulations

Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 99 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PG-WHSON-8 IQE050N08NM5SCATMA1

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง