onsemi NXH Type N-Channel MOSFET, 105 A, 1200 V Enhancement, 18-Pin PIM18 NXH010P120M3F1PTG
- RS Stock No.:
- 277-052
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NXH010P120M3F1PTG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB4,299.89
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB4,600.88
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 28 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB4,299.89 |
| 10 + | THB3,869.90 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 277-052
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NXH010P120M3F1PTG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 105A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | NXH | |
| Package Type | PIM18 | |
| Mount Type | Snap-in | |
| Pin Count | 18 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 24.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 272W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 314nC | |
| Forward Voltage Vf | 6V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 105A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series NXH | ||
Package Type PIM18 | ||
Mount Type Snap-in | ||
Pin Count 18 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 24.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 272W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 314nC | ||
Forward Voltage Vf 6V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
The ON Semiconductor Power Module contains a 10 mΩ, 1200V SiC MOSFET half-bridge and a thermistor, all integrated into an F1 package. This module is well-suited for high-performance applications, including solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), electric vehicle charging stations, and industrial power systems.
Press fit pins
Pb free
Halide free and RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 18-Pin PIM18 NXH030P120M3F1PTG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 18-Pin PIM18 NXH008P120M3F1PTG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 18-Pin PIM18 NXH015P120M3F1PTG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 34-Pin PIM34 NXH011F120M3F2PTHG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 34-Pin PIM34 NXH007F120M3F2PTHG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 36-Pin PIM36 NXH006P120M3F2PTHG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 29-Pin PIM29 NXH008T120M3F2PTHG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 22-Pin PIM22 NXH030F120M3F1PTG
