ROHM RD3P06BBKH Type N-Channel MOSFET, 59 A, 100 V Depletion, 8-Pin TO-252 RD3P06BBKHRBTL
- RS Stock No.:
- 264-943
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RD3P06BBKHRBTL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 5 ชิ้น)*
THB192.98
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB206.49
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 85 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB38.596 | THB192.98 |
| 50 - 95 | THB36.714 | THB183.57 |
| 100 - 495 | THB33.944 | THB169.72 |
| 500 - 995 | THB31.272 | THB156.36 |
| 1000 + | THB30.084 | THB150.42 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 264-943
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RD3P06BBKHRBTL
- ผู้ผลิต:
- ROHM
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 59A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | RD3P06BBKH | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 15.8mΩ | |
| Channel Mode | Depletion | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 17.3nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 76W | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, AEC-Q101 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 59A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series RD3P06BBKH | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 15.8mΩ | ||
Channel Mode Depletion | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17.3nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 76W | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS, AEC-Q101 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ROHM MOSFET, engineered for robust applications requiring high efficiency and reliability. With a breaking voltage of up to 100V and a continuous drain current of 59A, this device is designed for demanding tasks in automotive and industrial environments. It features a compact DPAK/TO-252 package, allowing for easy integration into various circuit designs.
Suitable for various applications including automotive and industrial electronics
Pulsed drain current capability of up to 118A underscores versatility in demanding environments
Utilises Pd free plating ensuring compatibility with modern production processes
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-252 IPD122N10N3GATMA1
- Infineon IPD Type N-Channel MOSFET 100 V N, 3-Pin TO-252
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 DMTH10H015SK3-13
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IRF3710ZS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF3710ZSTRLPBF
- Infineon IRF3710ZS Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin SO-8 ISC0804NLSATMA1
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF3710ZPBF
