STMicroelectronics SCT Type N-Channel Power MOSFET, 30 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK SCT070HU120G3AG
- RS Stock No.:
- 215-241
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT070HU120G3AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 600 ชิ้น)*
THB342,561.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB366,540.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 600 + | THB570.935 | THB342,561.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 215-241
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT070HU120G3AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | SCT | |
| Package Type | HU3PAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 63mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 23W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 37nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 14 mm | |
| Length | 18.58mm | |
| Height | 3.5mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series SCT | ||
Package Type HU3PAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 63mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 23W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 37nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 14 mm | ||
Length 18.58mm | ||
Height 3.5mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel Power MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT070H120G3AG
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT070H120G3-7
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT040H120G3AG
- ROHM SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 SCT3080KW7TL
- ROHM SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7