DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 4.4 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMN6066SSD-13
- RS Stock No.:
- 823-4012
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMN6066SSD-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB253.75
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB271.51
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 390 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 620 | THB25.375 | THB253.75 |
| 630 - 1240 | THB24.742 | THB247.42 |
| 1250 + | THB24.363 | THB243.63 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 823-4012
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMN6066SSD-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 4.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOIC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 97mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | 150°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.89V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.14W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | -55°C | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Height | 1.5mm | |
| Width | 4 mm | |
| Standards/Approvals | MIL-STD-202, AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020 | |
| Length | 5mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 4.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOIC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 97mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature 150°C | ||
Forward Voltage Vf 0.89V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.14W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.4nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature -55°C | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Height 1.5mm | ||
Width 4 mm | ||
Standards/Approvals MIL-STD-202, AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020 | ||
Length 5mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Isolated 2 Type P 8.5 A 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMN2041LSD-13
