DiodesZetex Isolated 2 Type P, Type N-Channel MOSFET, 8.2 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMC3026LSD-13
- RS Stock No.:
- 170-9039
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMC3026LSD-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB25,350.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB27,125.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 03 พฤษภาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB10.14 | THB25,350.00 |
| 5000 - 7500 | THB9.836 | THB24,590.00 |
| 10000 + | THB9.541 | THB23,852.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 170-9039
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMC3026LSD-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type P, Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOIC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 29mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.6W | |
| Forward Voltage Vf | 700mV | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | +150°C | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Standards/Approvals | MIL-STD-202, AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020 | |
| Length | 4.95mm | |
| Width | 3.95mm | |
| Height | 1.5mm | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Channel Type Type P, Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOIC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 29mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.6W | ||
Forward Voltage Vf 700mV | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature +150°C | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Standards/Approvals MIL-STD-202, AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020 | ||
Length 4.95mm | ||
Width 3.95mm | ||
Height 1.5mm | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex Isolated 2 Type P 8.2 A 8-Pin SOIC DMC3026LSD-13
- DiodesZetex Isolated 2 Type P 7.5 A 8-Pin SOIC DMC4040SSD-13
- DiodesZetex Isolated 2 Type P 8.5 A 8-Pin SOIC DMC3021LSD-13
- DiodesZetex Isolated 2 Type N Type P 4.7 A 8-Pin SOIC ZXMC4559DN8TA
- DiodesZetex Isolated 2 Type P 6.4 A 8-Pin SOIC ZXMC3A16DN8TA
- DiodesZetex Isolated 2 Type N 7.6 A 8-Pin SOIC DMC3028LSDX-13
- DiodesZetex Isolated 2 Type N 10.5 A 8-Pin SOIC DMC3016LSD-13
- DiodesZetex Isolated 2 Type P-Channel Power MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC