STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel MOSFET, 2 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD2HNK60Z

RS Stock No.:: 151-935
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STD2HNK60Z
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel MOSFET, 2 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD2HNK60Z

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 20 ชิ้น)*

THB293.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB313.60

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

2,440 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
20 - 180	THB14.65	THB293.00
200 - 480	THB13.911	THB278.22
500 - 980	THB12.887	THB257.74
1000 - 1980	THB11.863	THB237.26
2000 +	THB11.434	THB228.68

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 151-935
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STD2HNK60Z
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	SuperMESH
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4.8Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±30 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	11nC
	Forward Voltage Vf	1.6V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	10.1mm
	Width	6.6 mm
	Height	2.4mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series SuperMESH
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4.8Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11nC
	Forward Voltage Vf 1.6V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 10.1mm
	Width 6.6 mm
	Height 2.4mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - STD2HNK60Z

COO (Country of Origin):: CN

The STMicroelectronics Power MOSFET developed using Super MESH technology, achieved through optimization of well established strip based Power MESH layout. In addition to a significant reduction in on resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.

100% avalanche tested

Gate charge minimized

Very low intrinsic capacitance

Zener protected

STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel MOSFET, 2 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD2HNK60Z

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง