STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel MOSFET, 2 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD2HNK60Z

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB38,412.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB41,102.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 20 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2500 +THB15.365THB38,412.50

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
151-934
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STD2HNK60Z
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-252

Series

SuperMESH

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.8Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.6V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

11nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Height

2.4mm

Length

10.1mm

Width

6.6 mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET developed using Super MESH technology, achieved through optimization of well established strip based Power MESH layout. In addition to a significant reduction in on resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.

100% avalanche tested

Gate charge minimized

Very low intrinsic capacitance

Zener protected

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง