STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel MOSFET, 2.4 A, 600 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- RS Stock No.:
- 151-950
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD3NK60Z-1
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*
THB386.08
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB413.10
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,700 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 20 + | THB19.304 | THB386.08 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 151-950
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STD3NK60Z-1
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | IPAK | |
| Series | SuperMESH | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.6Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 45W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 11.8nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type IPAK | ||
Series SuperMESH | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.6Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 45W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11.8nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics Power MOSFET developed using the Super MESH technology, an optimization of the well established Power MESH. In addition to a significant reduction in on resistance, these devices are designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.
100% avalanche tested
Gate charge minimized
Very low intrinsic capacitance
Zener protected
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin IPAK STD3NK60Z-1
- STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD3NK60ZT4
- Vishay IRFU Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin IPAK
- Vishay IRFU Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin IPAK IRFU420PBF
- STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel SuperMESH Power MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel Power MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP
- STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel Zener-Protected SuperMESH MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220