STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel MOSFET, 6 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 151-942
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:
- STP6NK60Z
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB400.62
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB428.66
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 40 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 09 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
- เพิ่มอีก 50 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 18 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 + | THB40.062 | THB400.62 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 151-942
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:
- STP6NK60Z
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
ข้อมูลทางเทคนิค
Technical data sheets
Legislation and Compliance
Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | SuperMESH | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.2Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 33nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 10.4 mm | |
| Height | 28.9mm | |
| Length | 28.9mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series SuperMESH | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.2Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 33nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 10.4 mm | ||
Height 28.9mm | ||
Length 28.9mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics Power MOSFET is obtained through an extreme optimization of well established strip based Power MESH layout. In addition to pushing on resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications.
Extremely high dv/dt capability
100% avalanche tested
Gate charge minimized
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP6NK60Z
- STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP
- STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP STP6NK60ZFP
- STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel Zener-Protected SuperMESH MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel Power MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP12NK80Z
- STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel Power MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP11NK50Z
- STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin IPAK