STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel MOSFET, 4 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD4NK60ZT4

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 20 ชิ้น)*

THB411.84

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB440.66

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 4,960 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
20 - 180THB20.592THB411.84
200 - 480THB19.556THB391.12
500 - 980THB18.131THB362.62
1000 - 1980THB16.681THB333.62
2000 +THB16.059THB321.18

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
151-440
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STD4NK60ZT4
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-252

Series

SuperMESH

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

18.8nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

10.34mm

Width

6.73 mm

Height

2.39mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET developed using Super MESH technology, achieved through optimization of well established Power MESH layout. In addition to a significant reduction in on resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.

100% avalanche tested

Gate charge minimized

Very low intrinsic capacitance

Zener protected

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง