Infineon IKW25T120FKSA1, Type N-Channel IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่าย
RS จะไม่สต็อกสินค้านี้อีกต่อไป
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
914-0220
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IKW25T120FKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

50A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

190W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

50ns

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.2V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Series

TrenchStop

Standards/Approvals

JEDEC, Pb-Free, RoHS

Automotive Standard

No

Energy Rating

7mJ

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V


A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

• Collector-emitter voltage range 1100 to 1600V

• Very low VCEsat

• Low turn-off losses

• Short tail current

• Low EMI

• Maximum junction temperature 175°C

IGBT Discretes & Modules, Infineon


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง