Infineon IKW25T120FKSA1 IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 178-1400
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKW25T120FKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB5,459.16
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB5,841.30
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | THB181.972 | THB5,459.16 |
| 60 - 90 | THB178.016 | THB5,340.48 |
| 120 + | THB174.06 | THB5,221.80 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 178-1400
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKW25T120FKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Power Dissipation | 190 W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Dimensions | 16.13 x 5.21 x 21.1mm | |
| Gate Capacitance | 1860pF | |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C | |
| Energy Rating | 7mJ | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 50 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Maximum Power Dissipation 190 W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mounting Type Through Hole | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Transistor Configuration Single | ||
Dimensions 16.13 x 5.21 x 21.1mm | ||
Gate Capacitance 1860pF | ||
Minimum Operating Temperature -40 °C | ||
Energy Rating 7mJ | ||
Maximum Operating Temperature +150 °C | ||
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
• Collector-emitter voltage range 1100 to 1600V
• Very low VCEsat
• Low turn-off losses
• Short tail current
• Low EMI
• Maximum junction temperature 175°C
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IKW25T120FKSA1 50 A 1200 V Through Hole
- Infineon 50 A 1200 V Through Hole
- Infineon IKW50N120CH7XKSA1 50 A 1200 V Through Hole
- Infineon IKW50N120CS7XKSA1 50 A 1200 V Through Hole
- Infineon IHW25N120E1XKSA1 50 A 1200 V Through Hole
- Infineon IKW25N120H3FKSA1 50 A 1200 V Through Hole
- DiodesZetex 50 A 1200 V Through Hole
- IXYS 50 A 1200 V Through Hole