Infineon IKW25N120H3FKSA1, Type N-Channel IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

RS Stock No.:: 906-2892
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IKW25N120H3FKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IKW25N120H3FKSA1, Type N-Channel IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB458.78

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB490.90

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 2 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
เพิ่มอีก 16 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 30 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
เพิ่มอีก 180 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 30 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 6	THB229.39	THB458.78
8 - 14	THB224.805	THB449.61
16 +	THB220.305	THB440.61

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 906-2892
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IKW25N120H3FKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic	50A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Maximum Power Dissipation Pd	326W
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Channel Type	Type N
	Pin Count	3
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	±20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.7V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Series	TrenchStop
	Standards/Approvals	RoHS, Pb-free lead plating, JEDEC
	Automotive Standard	No
	Energy Rating	4.3mJ

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic 50A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Maximum Power Dissipation Pd 326W
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Channel Type Type N
	Pin Count 3
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.7V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Series TrenchStop
	Standards/Approvals RoHS, Pb-free lead plating, JEDEC
	Automotive Standard No
	Energy Rating 4.3mJ

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V

A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

• Collector-emitter voltage range 1100 to 1600V

• Very low VCEsat

• Low turn-off losses

• Short tail current

• Low EMI

• Maximum junction temperature 175°C

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Infineon IKW25N120H3FKSA1, Type N-Channel IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V

IGBT Discretes & Modules, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง