Infineon IHW25N120E1XKSA1, Type N-Channel IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 218-4394
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IHW25N120E1XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB695.31
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB743.98
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- เพิ่มอีก 15 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
- 60 ชิ้นสุดท้ายส่งจากวันที่ 30 มีนาคม 2569
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | THB139.062 | THB695.31 |
| 10 - 10 | THB135.584 | THB677.92 |
| 15 + | THB133.498 | THB667.49 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 218-4394
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IHW25N120E1XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 50A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 231W | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 ±25 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 16.13 mm | |
| Series | Resonant Soft-Switching | |
| Length | 21.1mm | |
| Standards/Approvals | JEDEC | |
| Height | 5.21mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 50A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 231W | ||
Number of Transistors 1 | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 ±25 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 16.13 mm | ||
Series Resonant Soft-Switching | ||
Length 21.1mm | ||
Standards/Approvals JEDEC | ||
Height 5.21mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IHW series reverse conducting IGBT 1200 V, 25 A with monolithically integrated diode in a TO-247 package focusing on system efficiency and reliability for the demanding requirements of induction cooking. It has collector emitter voltage of 1200 V and 25 A of collector current.
Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient
Optimized for performance with switching frequencies from 18kHz–40kHz
Low losses help designs meet energy efficiency standards
Drop-in replacement for existing designs
Soft switching for good EMI behaviour
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon 50 A 1200 V Through Hole
- Infineon IKW25N120H3FKSA1 50 A 1200 V Through Hole
- Infineon IKW50N120CH7XKSA1 50 A 1200 V Through Hole
- Infineon IKW25T120FKSA1 50 A 1200 V Through Hole
- Infineon IKW50N120CS7XKSA1 50 A 1200 V Through Hole
- DiodesZetex 50 A 1200 V Through Hole
- IXYS 50 A 1200 V Through Hole
- DiodesZetex DGTD120T25S1PT 50 A 1200 V Through Hole