STMicroelectronics STGD5H60DF, Type N-Channel Trench Gate Field Stop IGBT, 10 A 600 V, 3-Pin TO-252, Surface

RS Stock No.:: 906-2798
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STGD5H60DF
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STGD5H60DF, Type N-Channel Trench Gate Field Stop IGBT, 10 A 600 V, 3-Pin TO-252, Surface

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB362.41

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB387.78

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 06 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 620	THB36.241	THB362.41
630 - 1240	THB35.335	THB353.35
1250 +	THB34.79	THB347.90

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 906-2798
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STGD5H60DF
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Maximum Continuous Collector Current Ic	10A
	Product Type	Trench Gate Field Stop IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	600V
	Maximum Power Dissipation Pd	88W
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Channel Type	Type N
	Pin Count	3
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	1.95V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	±20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	6.6mm
	Height	2.4mm
	Width	6.2 mm
	Series	H
	Standards/Approvals	RoHS
	Energy Rating	221mJ
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Maximum Continuous Collector Current Ic 10A
	Product Type Trench Gate Field Stop IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V
	Maximum Power Dissipation Pd 88W
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Channel Type Type N
	Pin Count 3
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.95V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 6.6mm
	Height 2.4mm
	Width 6.2 mm
	Series H
	Standards/Approvals RoHS
	Energy Rating 221mJ
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

STMicroelectronics STGD5H60DF, Type N-Channel Trench Gate Field Stop IGBT, 10 A 600 V, 3-Pin TO-252, Surface

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง