STMicroelectronics, Type N-Channel Trench Gate Field Stop IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin TO-3PF, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB2,641.29

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,826.18

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 30 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
30 - 30THB88.043THB2,641.29
60 - 90THB86.129THB2,583.87
120 +THB84.216THB2,526.48

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
168-7090
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STGFW30V60DF
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current Ic

60A

Product Type

Trench Gate Field Stop IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

260W

Package Type

TO-3PF

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.3V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

26.7mm

Width

5.7 mm

Series

V

Standards/Approvals

ECOPACK

Length

15.7mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
KR

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง