onsemi FGH40N60SFDTU IGBT, 80 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB3,369.54

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB3,605.40

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 150 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
30 - 30THB112.318THB3,369.54
60 - 90THB109.876THB3,296.28
120 +THB107.434THB3,223.02

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
124-1334
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FGH40N60SFDTU
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

80 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

290 W

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.6 x 4.7 x 20.6mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor


For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.



IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง