STMicroelectronics STGWT20H65FB IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO, Through Hole

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB2,267.34

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,426.04

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
30 - 30THB75.578THB2,267.34
60 - 90THB73.935THB2,218.05
120 +THB72.292THB2,168.76

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
192-4655
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STGWT20H65FB
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

40 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

168 W

Number of Transistors

1

Package Type

TO

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.8 x 5 x 20.1mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

COO (Country of Origin):
KR
These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate and field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, a slightly positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Maximum junction temperature: TJ= 175 °C
High speed switching series
Minimized tail current
VCE(sat)= 1.55 V (typ.) @ IC= 20 A
Tight parameters distribution
Safe paralleling
Low thermal resistance
Lead free package

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง