STMicroelectronics STGWT20H65FB IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO, Through Hole
- RS Stock No.:
- 192-4809
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGWT20H65FB
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB199.27
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB213.218
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 04 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 6 | THB99.635 | THB199.27 |
| 8 - 14 | THB97.145 | THB194.29 |
| 16 + | THB95.65 | THB191.30 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 192-4809
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STGWT20H65FB
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Maximum Continuous Collector Current | 40 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Power Dissipation | 168 W | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Package Type | TO | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Dimensions | 15.8 x 5 x 20.1mm | |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Maximum Continuous Collector Current 40 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Maximum Power Dissipation 168 W | ||
Number of Transistors 1 | ||
Package Type TO | ||
Mounting Type Through Hole | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Transistor Configuration Single | ||
Dimensions 15.8 x 5 x 20.1mm | ||
Maximum Operating Temperature +175 °C | ||
Minimum Operating Temperature -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- KR
These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate and field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, a slightly positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
Maximum junction temperature: TJ= 175 °C
High speed switching series
Minimized tail current
VCE(sat)= 1.55 V (typ.) @ IC= 20 A
Tight parameters distribution
Safe paralleling
Low thermal resistance
Lead free package
High speed switching series
Minimized tail current
VCE(sat)= 1.55 V (typ.) @ IC= 20 A
Tight parameters distribution
Safe paralleling
Low thermal resistance
Lead free package
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STGWT20H65FB IGBT 3-Pin TO, Through Hole
- STMicroelectronics STGWA20H65DFB2 IGBT 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics STGP20H65DFB2 IGBT 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STGWA40H65DFB2 IGBT 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics STGWA40IH65DF IGBT 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics STGF20H65DFB2 IGBT 3-Pin TO-220FP
- STMicroelectronics STGW40H65DFB IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon IHW40N65R5XKSA1 IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
