Toshiba GT40WR21,Q(O IGBT, 40 A 1800 V, 3-Pin TO-3PN, Through Hole

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB183.88

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB196.75

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 82 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
  • เพิ่มอีก 100 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 19THB183.88
20 - 49THB178.36
50 - 99THB172.85
100 - 249THB169.18
250 +THB165.51

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
799-4864
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
GT40WR21,Q(O
ผู้ผลิต:
Toshiba
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Toshiba

Maximum Continuous Collector Current

40 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1800 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±25V

Maximum Power Dissipation

375 W

Package Type

TO-3PN

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.5 x 4.5 x 20mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

COO (Country of Origin):
JP

IGBT Discretes, Toshiba



IGBT Discretes & Modules, Toshiba


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง