Toshiba GT40QR21(STA1,E,D, Type N-Channel IGBT, 40 A 1200 V, 3-Pin SC-65, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB156.54

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB167.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB156.54
10 - 49THB151.83
50 - 99THB147.14
100 - 249THB144.00
250 +THB140.88

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
756-0540
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
GT40QR21(STA1,E,D
ผู้ผลิต:
Toshiba
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Toshiba

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

40A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

230W

Package Type

SC-65

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

0.2μs

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.7V

Minimum Operating Temperature

175°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±25 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
JP

IGBT Discretes, Toshiba


IGBT Discretes & Modules, Toshiba


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง