onsemi, Type N-Channel IGBT, 120 A 650 V, 3-Pin TO-3PN, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB3,459.54

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB3,701.70

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีสต็อกจำกัด
  • เพิ่มอีก 150 ชิ้นที่เหลือจะส่งจากวันที่ 02 มีนาคม 2569
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
30 - 30THB115.318THB3,459.54
60 - 90THB112.811THB3,384.33
120 +THB110.304THB3,309.12

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
166-2181
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FGA60N65SMD
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

120A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

600W

Package Type

TO-3PN

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

140ns

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.5V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Series

Field Stop

Automotive Standard

No

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor


IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง