onsemi FGA60N65SMD, Type N-Channel IGBT, 120 A 650 V, 3-Pin TO-3PN, Through Hole

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB202.22

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB216.38

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ขาดตลาด
  • เพิ่มอีก 11 ชิ้นที่เหลือจะส่งจากวันที่ 02 มีนาคม 2569
  • เพิ่มอีก 166 ชิ้นที่เหลือจะส่งจากวันที่ 09 มีนาคม 2569
สต็อกปัจจุบันของเรามีจำนวนจำกัด และซัพพลายเออร์ของเราคาดว่าสินค้าจะขาดแคลน
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 7THB202.22
8 - 14THB197.18
15 +THB194.16

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
864-8795
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FGA60N65SMD
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

120A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

600W

Package Type

TO-3PN

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

140ns

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.5V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Series

Field Stop

Automotive Standard

No

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor


IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง