onsemi FGA60N65SMD IGBT, 120 A 650 V, 3-Pin TO-3PN, Through Hole

Image representative of range

View all IGBTs
Bulk discount available

Subtotal (1 unit)*

THB202.22

(exc. VAT)

THB216.38

(inc. VAT)

Add to Basket
Select or type quantity
ขาดตลาด
  • เพิ่มอีก 21 ชิ้นที่เหลือจะส่งจากวันที่ 09 กุมภาพันธ์ 2569
  • เพิ่มอีก 196 ชิ้นที่เหลือจะส่งจากวันที่ 16 กุมภาพันธ์ 2569
สต็อกปัจจุบันของเรามีจำนวนจำกัด และซัพพลายเออร์ของเราคาดว่าสินค้าจะขาดแคลน
Units
Per unit
1 - 7THB202.22
8 - 14THB197.18
15 +THB194.16

*price indicative

Packaging Options:
RS Stock No.:
864-8795
Mfr. Part No.:
FGA60N65SMD
Brand:
onsemi
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all

Brand

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

120 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

600 W

Package Type

TO-3PN

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.8 x 5 x 20.1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor


For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.



IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Related links