Infineon IGB10N60TATMA1, Type N-Channel IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin TO-263, Surface

RS Stock No.:: 826-9055
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IGB10N60TATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IGB10N60TATMA1, Type N-Channel IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin TO-263, Surface

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*

THB629.86

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB673.96

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

600 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 09 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
20 - 240	THB31.493	THB629.86
260 - 480	THB30.705	THB614.10
500 +	THB30.233	THB604.66

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 826-9055
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IGB10N60TATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic	20A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	600V
	Maximum Power Dissipation Pd	110W
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Channel Type	Type N
	Pin Count	3
	Switching Speed	1MHz
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.05V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	JEDEC
	Series	TrenchStop
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic 20A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V
	Maximum Power Dissipation Pd 110W
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Channel Type Type N
	Pin Count 3
	Switching Speed 1MHz
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.05V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals JEDEC
	Series TrenchStop
	Automotive Standard No

สถานะRoHS: ไม่สามารถใช้ได้

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V

A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.

• Collector-emitter voltage range 600 to 650V

• Very low VCEsat

• Low turn-off losses

• Short tail current

• Low EMI

• Maximum junction temperature 175°C

IGBT Discretes & Modules, Infineon

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Infineon IGB10N60TATMA1, Type N-Channel IGBT, 20 A 600 V, 3-Pin TO-263, Surface

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V

IGBT Discretes & Modules, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง