Toshiba 2SK4207 Type N-Channel MOSFET, 13 A, 900 V Enhancement, 3-Pin SC-65 2SK4207(Q)
- RS Stock No.:
- 756-0376
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 2SK4207(Q)
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB184.09
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB196.98
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 6 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 01 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
- เพิ่มอีก 100 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 07 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB184.09 |
| 10 - 49 | THB178.57 |
| 50 - 99 | THB173.05 |
| 100 - 249 | THB169.37 |
| 250 + | THB165.69 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 756-0376
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- 2SK4207(Q)
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 13A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 900V | |
| Package Type | SC-65 | |
| Series | 2SK4207 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 950mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 150W | |
| Forward Voltage Vf | -1.7V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 15.9mm | |
| Height | 4.8mm | |
| Width | 20 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 13A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 900V | ||
Package Type SC-65 | ||
Series 2SK4207 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 950mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 150W | ||
Forward Voltage Vf -1.7V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 15.9mm | ||
Height 4.8mm | ||
Width 20 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
MOSFET N-Channel, 2SK Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Toshiba Single 2SK 1 Type N-Channel MOSFET 900 V EnhancementS5Q(J
- Toshiba Single 2SK 1 Type N-Channel MOSFET 900 V EnhancementS5Q(J
- Toshiba GT40QR21(STA1D IGBT 3-Pin SC-65, Through Hole
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 900 V Enhancement, 3-Pin TO-3PN
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 900 V Enhancement, 3-Pin TO-3PN TK9J90E
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 250 V EnhancementS4X(S
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 200 V EnhancementS4X(S
- Toshiba 2SK Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SC-59 2SK1062(F)
