Infineon IGW40T120FKSA1 IGBT, 75 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- RS Stock No.:
- 754-5392
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGW40T120FKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB247.20
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB264.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 7 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 7 | THB247.20 |
| 8 - 39 | THB242.26 |
| 40 + | THB199.37 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 754-5392
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGW40T120FKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 75 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Power Dissipation | 270 W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Dimensions | 16.13 x 21.1 x 5.21mm | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 75 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Maximum Power Dissipation 270 W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mounting Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Transistor Configuration Single | ||
Dimensions 16.13 x 21.1 x 5.21mm | ||
Maximum Operating Temperature +150 °C | ||
Minimum Operating Temperature -40 °C | ||
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
Collector-emitter voltage range 1100 to 1600V
Very low VCEsat
Low turn-off losses
Short tail current
Low EMI
Maximum junction temperature 175°C
Very low VCEsat
Low turn-off losses
Short tail current
Low EMI
Maximum junction temperature 175°C
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IGW40T120FKSA1 IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon IKW40N120T2FKSA1 IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon IKQ75N120CT2XKSA1 75 A 1200 V Through Hole
- Infineon IKW75N120CH7XKSA1 75 A 1200 V Through Hole
- IXYS IXYH30N120C3 IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- Starpower DG75X12T2 Single IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- IXYS IXGH40N120B2D1 IGBT 3-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon IKQ75N120CS7XKSA1 Single Collector Single Gate IGBT 3-Pin PG-TO247-3-PLUS-N,
