Semikron Danfoss SKM75GB12T4, Type N-Channel IGBT Module, 115 A 1200 V, 7-Pin SEMITRANS, Panel

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB3,207.95

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB3,432.51

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 1 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 16 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
  • เพิ่มอีก 4 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
1 - 9THB3,207.95
10 - 49THB3,143.78
50 - 99THB3,080.90
100 - 249THB3,019.27
250 +THB2,958.88

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
687-4961
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SKM75GB12T4
ผู้ผลิต:
Semikron Danfoss
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Semikron Danfoss

Maximum Continuous Collector Current Ic

115A

Product Type

IGBT Module

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Number of Transistors

2

Package Type

SEMITRANS

Mount Type

Panel

Channel Type

Type N

Pin Count

7

Switching Speed

20kHz

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.1V

Minimum Operating Temperature

175°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

-40°C

Series

SKM75GB12T4

Standards/Approvals

No

Width

34 mm

Height

30.1mm

Length

94mm

Automotive Standard

No

Dual IGBT Modules


A range of SEMITOP® IGBT modules from Semikron incorporating two series-connected (half bridge) IGBT devices. The modules are available in a wide range of voltage and current ratings and are suitable for a variety of power switching applications such as AC inverter motor drives and Uninterruptible Power Supplies.

Compact SEMITOP® package

Suitable for switching frequencies up to 12kHz

Insulated copper baseplate using Direct Bonded Copper technology

IGBT Modules, Semikron


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง