Infineon, Type N-Channel Common Emitter IGBT, 200 A 1700 V, 7-Pin 62MMH, Panel
- RS Stock No.:
- 273-2918
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FF200R17KE4HOSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB4,713.52
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB5,043.47
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 16 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 4 | THB4,713.52 |
| 5 - 9 | THB4,619.17 |
| 10 - 19 | THB4,327.67 |
| 20 + | THB4,188.72 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 273-2918
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FF200R17KE4HOSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 200A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1700V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1250W | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Configuration | Common Emitter | |
| Package Type | 62MMH | |
| Mount Type | Panel | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.45V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 30.5mm | |
| Length | 106.4mm | |
| Standards/Approvals | IEC 61140 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 200A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1700V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1250W | ||
Number of Transistors 1 | ||
Configuration Common Emitter | ||
Package Type 62MMH | ||
Mount Type Panel | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.45V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 30.5mm | ||
Length 106.4mm | ||
Standards/Approvals IEC 61140 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon dual IGBT module with fast IGBT4 and emitter controlled 4 diode.
Optimal electrical performance
Highest reliability