onsemi FGY4L140T120SWD, N-Channel Common Emitter IGBT, 140 A 1200 V, 4-Pin TO-247-4L, Through Hole
- RS Stock No.:
- 277-078
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FGY4L140T120SWD
- ผู้ผลิต:
- onsemi
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB613.07
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB655.98
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB613.07 |
| 10 - 99 | THB551.71 |
| 100 + | THB508.66 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 277-078
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FGY4L140T120SWD
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 140A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.25kW | |
| Configuration | Common Emitter | |
| Package Type | TO-247-4L | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | N | |
| Pin Count | 4 | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 5mm | |
| Length | 22.54mm | |
| Width | 15.8mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 140A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Number of Transistors 1 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.25kW | ||
Configuration Common Emitter | ||
Package Type TO-247-4L | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type N | ||
Pin Count 4 | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 5mm | ||
Length 22.54mm | ||
Width 15.8mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The ON Semiconductor IGBT and Gen7 Diode in a TO247 4-lead package offer optimal performance with low switching and conduction losses, enabling high-efficiency operations. These components are designed for use in various applications such as solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), and energy storage systems (ESS), providing reliable and efficient power management in these demanding environments.
High current capability
Smooth and optimized switching
Low switching loss
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi FGY4L100T120SWD 200 A 1200 V Through Hole
- onsemi FGY4L160T120SWD 160 A 1200 V Through Hole
- onsemi FGY4L75T120SWD 75 A 1200 V Through Hole
- Infineon 50 A 1200 V Panel
- Infineon 50 A 1200 V Module, Panel
- Infineon TDB6HK124N16RRBPSA1 70 A 1200 V Panel
- Infineon 100 A 1200 V Panel
- Infineon 75 A 1200 V Panel
