onsemi FGY4L140T120SWD, Type N-Channel Common Emitter IGBT, 140 A 1200 V, 4-Pin TO-247-4L, Through Hole
- RS Stock No.:
- 277-078
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FGY4L140T120SWD
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB613.07
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB655.98
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 10 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
- เพิ่มอีก 30 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB613.07 |
| 10 - 99 | THB551.71 |
| 100 + | THB508.66 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 277-078
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FGY4L140T120SWD
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 140A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Number of Transistors | 1 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.25kW | |
| Package Type | TO-247-4L | |
| Configuration | Common Emitter | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 4 | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 15.8 mm | |
| Length | 22.54mm | |
| Height | 5mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 140A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Number of Transistors 1 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.25kW | ||
Package Type TO-247-4L | ||
Configuration Common Emitter | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 4 | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 15.8 mm | ||
Length 22.54mm | ||
Height 5mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The ON Semiconductor IGBT and Gen7 Diode in a TO247 4-lead package offer optimal performance with low switching and conduction losses, enabling high-efficiency operations. These components are designed for use in various applications such as solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), and energy storage systems (ESS), providing reliable and efficient power management in these demanding environments.
High current capability
Smooth and optimized switching
Low switching loss
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi FGY4L160T120SWD 160 A 1200 V Through Hole
- onsemi FGY4L75T120SWD 75 A 1200 V Through Hole
- onsemi FGY4L100T120SWD 200 A 1200 V Through Hole
- Infineon FS50R12W1T7B11BOMA1 50 A 1200 V Module, Panel
- Infineon 50 A 1200 V Module, Panel
- Infineon 70 A 1200 V Panel
- Infineon FP75R12N2T7BPSA2 75 A 1200 V Panel
- Infineon TDB6HK124N16RRBPSA1 70 A 1200 V Panel
