Infineon IKW50N65H5FKSA1 IGBT Module, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO-247

RS Stock No.:: 259-1534
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IKW50N65H5FKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IKW50N65H5FKSA1 IGBT Module, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB3,040.08

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB3,252.90

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

240 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 14 มกราคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
30 +	THB101.336	THB3,040.08

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 259-1534
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IKW50N65H5FKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Continuous Collector Current Ic	80A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	650V
	Maximum Power Dissipation Pd	305W
	Package Type	PG-TO-247
	Pin Count	3
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	1.65V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	±20 ±30 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Series	IKW
	Width	16.13mm
	Standards/Approvals	JEDEC
	Length	41.42mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Continuous Collector Current Ic 80A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V
	Maximum Power Dissipation Pd 305W
	Package Type PG-TO-247
	Pin Count 3
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.65V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 ±30 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Series IKW
	Width 16.13mm
	Standards/Approvals JEDEC
	Length 41.42mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IKW50N65H5FKSA1

Infineon IKW Series IGBT Module, 80A Maximum Continuous Collector Current, 650V Maximum Gate Emitter Voltage - IKW50N65H5FKSA1

This IGBT module is a power semiconductor device designed for switching and amplification in industrial applications. It operates across a broad temperature range and is suited to systems requiring robust thermal tolerance and controlled gate-emitter limits. The module is provided in a through-hole power package and conforms to established JEDEC approval practices for component specification.

Features and Benefits:

• 80A continuous current capability enables high current handling
• 1.65V VCE(sat) delivers low saturation voltage for efficient switching
• 305W power dissipation permits sustained power throughput
• -40 to 175°C operating span supports wide temperature environments
• 650V gate-emitter limit allows high-voltage control interfaces

Applications

• Suitable for industrial motor drives requiring high current
• Ideal for power converters with substantial thermal load
• Used with inverter systems needing low conduction losses
• Can be used for switched-mode power supplies in factories
• Suitable for laboratory test rigs assessing high-voltage switching

What pin configuration does it provide?

It uses a three-pin layout appropriate for straightforward gate, collector and emitter connections.

Which package style is employed for mounting?

The component is supplied in a PG-TO-247 power package for common through-hole mounting and heat-sinking.

How Compact is the module for constrained assemblies?

The device measures 41.42mm in length and 16.13mm in width for Compact board placement.

Is it intended for automotive applications?

It is not classified as an automotive-grade unit and is specified for non-automotive use.