Infineon IGBT Module, 50 A 650 V, 3-Pin PG-TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB2,187.51

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB2,340.63

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 30 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
30 +THB72.917THB2,187.51

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
259-1532
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IKW50N65F5FKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

IGBT Module

Maximum Continuous Collector Current Ic

50A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

305W

Package Type

PG-TO-247

Pin Count

3

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 ±30 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.6V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

16.13 mm

Series

High Speed Fifth Generation

Standards/Approvals

JEDEC, RoHS

Length

41.42mm

Automotive Standard

No

The Infineon high speed hard-switching IGBT is co-packed with RAPID 1 fast and soft anti-parallel diode in a TO-247 package, is defined as "best-in-class" IGBT. It has best-in-class efficiency, resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability. 50 V increase in the bus voltage possible without compromising reliability.

650 V breakthrough voltage

Compared to best-in-class HighSpeed 3 family

Factor 2.5 lower Qg

Factor 2 reduction in switching losses

200mV reduction in VCEsat

Co-packed with Rapid Si-diode technology

Low COES/EOSS

Mild positive temperature coefficient VCEsa

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง