Infineon IKW50N65WR5XKSA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO-247

RS Stock No.:: 244-2919
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IKW50N65WR5XKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IKW50N65WR5XKSA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB133.72

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB143.08

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 190 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 9	THB133.72
10 - 39	THB130.03
40 - 79	THB126.34
80 - 119	THB122.65
120 +	THB118.96

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 244-2919
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IKW50N65WR5XKSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic	80A
	Product Type	IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	650V
	Maximum Power Dissipation Pd	282W
	Package Type	PG-TO-247
	Pin Count	3
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	±20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	1.40V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Series	IKW
	Width	16.13mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	41.42mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic 80A
	Product Type IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V
	Maximum Power Dissipation Pd 282W
	Package Type PG-TO-247
	Pin Count 3
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.40V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Series IKW
	Width 16.13mm
	Standards/Approvals RoHS
	Length 41.42mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IKW50N65WR5XKSA1

Infineon IKW Series IGBT, 650V Gate-Emitter Voltage, 80A Collector Current - IKW50N65WR5XKSA1

This IGBT is a power semiconductor device designed for high-voltage switching and control in demanding electronic systems. It combines significant current-handling capability with a high gate-emitter voltage rating to support robust switching duties across a wide thermal range in industrial environments.

Features and Benefits:

• 650V gate-emitter rating enables high-voltage switching capability
• 80A continuous collector current supports substantial load currents
• 282W power dissipation allows for sustained power handling
• 1.4V maximum VceSAT improves conduction efficiency under load
• RoHS conformity minimises hazardous substances in assemblies

Applications

• Suitable for motor drive inverter stages
• Ideal for industrial power converters
• Used with switch-mode power supplies in heavy-duty systems
• Can be used for traction and large DC-DC conversion

What package style does it use for mounting and thermal transfer?

It is supplied in a PG-TO-247 package to facilitate through-hole mounting and heatsinking.

What ambient temperature range can it operate within?

It is specified to function between -40°C and 175°C for broad thermal tolerance.

How many electrical connections are provided for circuit integration?

The device presents three pins for gate, collector and emitter interconnection.

Is it intended as an automotive-grade component?

The specification indicates it is not classified as an automotive-standard device.