Infineon IGW50N65F5FKSA1 IGBT Module, 50 A 650 V, 3-Pin PG-TO-247
- RS Stock No.:
- 259-1527
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGW50N65F5FKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*
THB271.13
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB290.11
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 182 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | THB135.565 | THB271.13 |
| 10 - 24 | THB121.87 | THB243.74 |
| 26 - 98 | THB121.59 | THB243.18 |
| 100 - 198 | THB99.735 | THB199.47 |
| 200 + | THB96.83 | THB193.66 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 259-1527
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IGW50N65F5FKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 50A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 305W | |
| Package Type | PG-TO-247 | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 ±30 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.6V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, JEDEC | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 50A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 305W | ||
Package Type PG-TO-247 | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 ±30 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.6V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS, JEDEC | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon new TRENCHSTOPIGBT technology redefines “Best-in-class” IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT innovation to match the market’s high efficiency demands of tomorrow. It has best-in-class efficiency, resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability. 50V increase in the bus voltage possible without compromising reliability.
650V breakthrough voltage
Compared to Infineon’s Best-in-class HighSpeed 3 family
Factor 2.5 lower Q g
Factor 2 reduction in switching losses
200mV reduction in V CE(sat)
Low C OES/E OSS
Mild positive temperature coefficient V CE(sat)
Temperature stabilit
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IGBT Module 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IKW50N65RH5XKSA1 IGBT Module 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IKW50N65H5FKSA1 IGBT Module 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IKW50N65F5FKSA1 IGBT Module 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT Module 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT Module 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IKW50N65SS5XKSA1 IGBT Module 3-Pin PG-TO-247