Infineon IGBT Module, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO-247
- RS Stock No.:
- 249-6943
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKW50N65SS5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB10,224.66
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB10,940.40
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 180 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | THB340.822 | THB10,224.66 |
| 60 - 60 | THB329.574 | THB9,887.22 |
| 90 + | THB318.698 | THB9,560.94 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 249-6943
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IKW50N65SS5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 80A | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 274W | |
| Package Type | PG-TO-247 | |
| Pin Count | 3 | |
| Switching Speed | 20ns | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.35V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 16.3 mm | |
| Length | 41.9mm | |
| Height | 5.3mm | |
| Standards/Approvals | JEDEC | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 80A | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 274W | ||
Package Type PG-TO-247 | ||
Pin Count 3 | ||
Switching Speed 20ns | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.35V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 16.3 mm | ||
Length 41.9mm | ||
Height 5.3mm | ||
Standards/Approvals JEDEC | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon TRENCHSTOP 5S5 IGBT co-packed with full-rated 6th generation Cool SiCTMS schottky barrier diode. Ultra-low switching losses due to the combination of TRENCHSTOPTM5 and CoolSiCTM technology. Benchmark efficiency in hard switching topologies. Plug-and-play replacement of pure silicon devices. Maximum junction temperature is 175°C
Industrial Power Supplies-Industrial SMPS
Energy Generation
Solar String Inverter
Energy Distribution -Energy Storage
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IKW50N65SS5XKSA1 IGBT Module 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT Module 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT Module 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IKW75N65ET7XKSA1 IGBT 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT Module, 75 A 650 V PG-TO-247
- Infineon IKWH75N65EH7XKSA1 80 A 650 V Through Hole
- Infineon IKW50N65F5FKSA1 IGBT Module 3-Pin PG-TO-247
