Bourns BIDD05N60T IGBT 600 V TO-252
- RS Stock No.:
- 253-3500
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BIDD05N60T
- ผู้ผลิต:
- Bourns
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB240.82
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB257.67
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 2,425 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 พฤศจิกายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB48.164 | THB240.82 |
| 50 - 95 | THB41.23 | THB206.15 |
| 100 - 245 | THB33.708 | THB168.54 |
| 250 - 995 | THB33.046 | THB165.23 |
| 1000 + | THB27.81 | THB139.05 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 253-3500
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BIDD05N60T
- ผู้ผลิต:
- Bourns
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Bourns | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 600V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 82W | |
| Package Type | TO-252 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±30 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Series | BIDD05N60T | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Bourns | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 82W | ||
Package Type TO-252 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±30 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Series BIDD05N60T | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard No | ||
The Bourns IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteristics with a lower Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)) and fewer switching losses. In addition, this structure improves the robustness of the device.
600V, 5A, Low VCE(sat)
Trench-Gate Field-Stop technology
Optimized for conduction
Robust
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Bourns BIDD05N60T IGBT 600 V TO-252
- Infineon IKD10N60RFATMA1 IGBT, 10 A 600 V TO-252
- Infineon IKD10N60RC2ATMA1 IGBT, 10 A 600 V TO-252
- Infineon IKD15N60RC2ATMA1 IGBT, 15 A 600 V TO-252
- Infineon IKD04N60RC2ATMA1 IGBT, 8 A 600 V TO-252
- Infineon IKD06N60RC2ATMA1 IGBT, 6 A 600 V TO-252
- Bourns BIDW20N60T IGBT, 40 A 600 V TO-247
- STMicroelectronics STGD4H60DF Single Collector IGBT 3-Pin TO-252, Surface