Bourns IGBT, 40 A 600 V TO-247
- RS Stock No.:
- 253-3504
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BIDW20N60T
- ผู้ผลิต:
- Bourns
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 600 ชิ้น)*
THB56,145.60
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB60,075.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,800 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 600 + | THB93.576 | THB56,145.60 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 253-3504
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BIDW20N60T
- ผู้ผลิต:
- Bourns
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Bourns | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 40A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 600V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 192W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.9V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Series | BIDW20N60T | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Bourns | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 40A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 192W | ||
Package Type TO-247 | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.9V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Series BIDW20N60T | ||
Automotive Standard No | ||
The Bourns IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteristics with a lower conduction loss and fewer switching losses. In addition, this structure provides a positive temperature coefficient.
600 V, 20 A, Low Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat))
Trench-Gate Field-Stop technology
Optimized for conduction
Low switching loss
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Bourns BIDW20N60T IGBT, 40 A 600 V TO-247
- Bourns IGBT, 30 A 600 V TO-247
- Bourns BIDNW30N60H3 IGBT, 30 A 600 V TO-247
- Bourns IGBT, 100 A 650 V TO-247
- Bourns IGBT 3-Pin TO-247
- Infineon IGBT 3-Pin PG-TO-247, Through Hole
- Infineon IGW40N60H3FKSA1 IGBT 3-Pin PG-TO-247, Through Hole
- Infineon IGW20N60H3FKSA1 IGBT 3-Pin PG-TO-247, Through Hole
