Bourns BIDW50N65T Single Diode IGBT, 50 A 650 V TO-247

ดู IGBTs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 600 ชิ้น)*

THB68,067.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB72,831.60

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 600 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
600 +THB113.445THB68,067.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
253-3508
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BIDW50N65T
ผู้ผลิต:
Bourns
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Bourns

Maximum Continuous Collector Current

50 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

416 W

Configuration

Single Diode

Package Type

TO-247

The Bourns IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteristics with a lower Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)) and fewer switching losses. In addition, this structure provides a lower thermal resistance R(th).

650 V, 50 A, Low Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat))
Trench-Gate Field-Stop technology
Optimized for conduction
RoHS compliant

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง