Bourns BIDD05N60T Single Diode IGBT, 5 A 600 V TO-252

ดู IGBTs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB62,995.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB67,405.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2500 +THB25.198THB62,995.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
253-3499
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BIDD05N60T
ผู้ผลิต:
Bourns
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Bourns

Maximum Continuous Collector Current

5 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±30V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

82 W

Configuration

Single Diode

Package Type

TO-252

The Bourns IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteristics with a lower Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)) and fewer switching losses. In addition, this structure improves the robustness of the device.

600V, 5A, Low VCE(sat)
Trench-Gate Field-Stop technology
Optimized for conduction
Robust
RoHS compliant

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง