Bourns BIDD05N60T IGBT 600 V TO-252

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู IGBTs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB64,585.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB69,105.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 29 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2500 +THB25.834THB64,585.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
253-3499
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
BIDD05N60T
ผู้ผลิต:
Bourns
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Bourns

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

82W

Package Type

TO-252

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±30 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Series

BIDD05N60T

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

The Bourns IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteristics with a lower Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)) and fewer switching losses. In addition, this structure improves the robustness of the device.

600V, 5A, Low VCE(sat)

Trench-Gate Field-Stop technology

Optimized for conduction

Robust

RoHS compliant

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง