Bourns IGBT, 30 A 600 V TO-247
- RS Stock No.:
- 253-3501
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BIDNW30N60H3
- ผู้ผลิต:
- Bourns
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 600 ชิ้น)*
THB50,386.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB53,913.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,800 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 600 + | THB83.978 | THB50,386.80 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 253-3501
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BIDNW30N60H3
- ผู้ผลิต:
- Bourns
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Bourns | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 30A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 600V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 230W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Series | BIDNW30N60H3 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Bourns | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 30A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 230W | ||
Package Type TO-247 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Series BIDNW30N60H3 | ||
Automotive Standard No | ||
The Bourns IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteristics with a lower Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)) and fewer switching losses.
600 V, 30 A, Low Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat))
Trench-Gate Field-Stop technology
Low switching loss
Fast switching
RoHS compliant
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Bourns BIDNW30N60H3 IGBT, 30 A 600 V TO-247
- Bourns IGBT, 40 A 600 V TO-247
- Bourns IGBT 3-Pin TO-247
- Bourns IGBT, 100 A 650 V TO-247
- STMicroelectronics STGW30NC60WD 30 A 600 V Through Hole
- Infineon IKW30N60H3FKSA1 30 A 600 V Through Hole
- STMicroelectronics 30 A 600 V Through Hole
- Infineon 30 A 600 V Through Hole
