Infineon IGBT Module 1200 V

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 10 ชิ้น)*

THB37,164.68

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB39,766.21

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อถาด*
10 - 10THB3,716.468THB37,164.68
20 - 20THB3,642.137THB36,421.37
30 +THB3,569.299THB35,692.99

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
244-5846
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FP75R12KT4B11BOSA1
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

IGBT Module

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

385W

Number of Transistors

7

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.15V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

62 mm

Height

17mm

Series

FP75R12KT4B11B

Standards/Approvals

RoHS

Length

122mm

Automotive Standard

No

The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives, servo drives etc.

Electrical Features

Low switching losses

Tvj op = 150° C

VCEsat with positive temperature coefficient

Low VCEsat

Mechanical features

High power and thermal cycling capability

Integrated NTC temperature sensor

Copper base plate

Pressfit contact technology

Standard housing

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง