Infineon FP10R12W1T4BOMA1 IGBT Module 1200 V

RS Stock No.:: 244-5383
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FP10R12W1T4BOMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon FP10R12W1T4BOMA1 IGBT Module 1200 V

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (24 ชิ้น, ในถาดขนาด 24)*

THB33,182.66

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB35,505.46

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 17 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อถาด*
24 - 24	THB1,382.611	THB33,182.66
48 - 48	THB1,354.975	THB32,519.40
72 +	THB1,327.865	THB31,868.76

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 244-5383
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FP10R12W1T4BOMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Maximum Power Dissipation Pd	105W
	Number of Transistors	7
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.25V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	62.8mm
	Series	FP10R12W1T4B
	Width	33.8mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Height	12mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Maximum Power Dissipation Pd 105W
	Number of Transistors 7
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.25V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 62.8mm
	Series FP10R12W1T4B
	Width 33.8mm
	Standards/Approvals RoHS
	Height 12mm
	Automotive Standard No

Datasheet - FP10R12W1T4BOMA1

Infineon FP10R12W1T4B Series IGBT Module, 1200V Maximum Collector-Emitter Voltage, 105W Maximum Power Dissipation - FP10R12W1T4BOMA1

This IGBT module is a high-voltage semiconductor assembly designed to switch and control power in industrial electronics. It provides rugged operation across a wide thermal range and is suitable for systems requiring substantial voltage blocking and moderate power dissipation. The device is intended for applications demanding reliable switching at elevated temperatures while conforming to RoHS material restrictions.

Features and Benefits:

• 1200 V blocking capability enables high-voltage switching applications
• 105 W power dissipation allows sustained thermal loading
• 7-transistor configuration increases switching density per package
• 20 V gate-emitter rating supports robust gate-drive margins
• VCE(sat) 2.25 V typical reduces conduction losses during on-state
• Operates to 150 °C for high-temperature environments

Applications

• Suitable for industrial motor inverter stages
• Ideal for medium-power renewable energy converters
• Used with power supplies requiring high-voltage switching
• Can be used for traction auxiliary converters
• Appropriate for induction heating power stages

What temperature range can it reliably operate within?

It functions across a minimum of −40 °C up to a maximum of 150 °C.

What is the maximum collector-emitter voltage capability?

The device supports up to 1200 V between collector and emitter.

How much power can the module dissipate under load?

It can dissipate a maximum of 105 W of power.

What gate drive voltage limit must be observed?

The gate-emitter voltage must not exceed 20 V.

Is the module compliant with common environmental standards?

It meets RoHS requirements for restricted substances.