Infineon FP50R06W2E3BOMA1 IGBT Module 600 V

RS Stock No.:: 244-5401
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FP50R06W2E3BOMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon FP50R06W2E3BOMA1 IGBT Module 600 V

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB1,392.30

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,489.76

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

13 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 1	THB1,392.30
2 - 2	THB1,364.46
3 - 3	THB1,337.29
4 - 4	THB1,310.44
5 +	THB1,284.25

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 244-5401
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FP50R06W2E3BOMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	600V
	Maximum Power Dissipation Pd	175W
	Number of Transistors	7
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	1.9V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Height	12mm
	Length	51mm
	Width	42.5mm
	Series	FP50R06W2E3B
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V
	Maximum Power Dissipation Pd 175W
	Number of Transistors 7
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.9V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Height 12mm
	Length 51mm
	Width 42.5mm
	Series FP50R06W2E3B
	Automotive Standard No

Datasheet - FP50R06W2E3BOMA1

Infineon FP50R06W2E3B Series IGBT Module, 175W Maximum Power Dissipation, 600V Maximum Collector‑Emitter Voltage - FP50R06W2E3BOMA1

This IGBT module is a Compact power semiconductor assembly designed to switch and control high-voltage DC loads in industrial power systems. It provides robust switching capability for converters, inverters and motor drives while operating across a wide thermal range in demanding environments. The device is RoHS-compliant and intended for applications that require multiple transistor outputs within a single package.

Features and Benefits:

• 600 V collector-emitter rating enables high-voltage switching capability
• 175 W maximum power dissipation supports substantial continuous load handling
• 1.9 V maximum VCE(sat) reduces conduction losses during on-state operation
• Gate-emitter tolerance of 20 V permits standard gate-drive voltages
• Seven transistors in one package allow multi-channel switching arrangements

Applications

• Suitable for three-phase motor inverter stages requiring multiple switches
• Ideal for industrial DC-DC converters with high-voltage inputs
• Used with power rectifiers in medium-power traction systems
• Can be used for renewable-energy inverters handling variable loads
• Suitable for laboratory or test rigs needing clustered transistor outputs

What ambient temperatures can the device tolerate during operation?

It is rated to operate down to −40 °C and up to 150 °C.

What is the package footprint for integration on assemblies?

The unit measures 42.5 x 51 x 12 mm for Compact mounting and footprint planning.

How does the seven-transistor arrangement affect circuit layout?

Multiple transistors in one housing reduce interconnection length and simplify gate routing for multi-leg topologies.

Are there restrictions on automotive use?

The device is not specified to automotive standards and should not be relied upon for automotive-qualified designs.