Infineon FS1150R08A8P3CHPSA1, N channel-Channel IGBT Module, 600 A 750 V, 76-Pin Tray, Screw
- RS Stock No.:
- 762-981
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FS1150R08A8P3CHPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB42,857.72
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB45,857.76
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 6 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 + | THB42,857.72 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 762-981
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FS1150R08A8P3CHPSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 600A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 750V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1000W | |
| Number of Transistors | 6 | |
| Package Type | Tray | |
| Mount Type | Screw | |
| Channel Type | N channel | |
| Pin Count | 76 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.21V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 162mm | |
| Height | 22.44mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Width | 110mm | |
| Automotive Standard | AQG 324 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 600A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 750V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1000W | ||
Number of Transistors 6 | ||
Package Type Tray | ||
Mount Type Screw | ||
Channel Type N channel | ||
Pin Count 76 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.21V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 162mm | ||
Height 22.44mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Width 110mm | ||
Automotive Standard AQG 324 | ||
The Infineon HybridPACK Drive G2 module operates at 1200 V with a current rating of 410 A and a surge capability of 820 A. It features low saturation voltage and switching losses, an integrated temperature sensor, and robust insulation. Its Compact design includes a Direct-cooled PinFin base plate and guiding elements for efficient assembly.
PressFIT contact technology
RoHS compliant, lead-free
UL 94 V0 module frame
High-performance Si3N4 ceramic
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon FS1000R08A7P3BHPSA1 600 A 750 V Screw
- Infineon FP75R17N3E4B20BPSA1 75 A 1700 V Panel Mount
- FTDI Chip FT4233HPQ-TRAY 4-Channel 12 Mbps USB 2.0 76-Pin QFN
- FTDI Chip 4-Channel 12 Mbps USB 2.0 76-Pin QFN
- Infineon FF600R12ME4B72BOSA1 600 A 1200 V Surface
- FTDI Chip 2-Channel 12 Mbps USB 2.0 76-Pin QFN
- FTDI Chip FT2233HPQ-TRAY 2-Channel 12 Mbps USB 2.0 76-Pin QFN
- Infineon HybridPACK N channel-Channel IGBT Module 1200 V HybridPACK FS410R12A7P1BHPSA1
