Infineon FP30R06W1E3BOMA1 IGBT Module 600 V

RS Stock No.:: 244-5396
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FP30R06W1E3BOMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon FP30R06W1E3BOMA1 IGBT Module 600 V

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB1,149.53

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB1,230.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

46 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 1	THB1,149.53
2 - 2	THB1,126.47
3 - 3	THB1,104.12
4 - 4	THB1,081.77
5 +	THB1,060.17

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 244-5396
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FP30R06W1E3BOMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	600V
	Number of Transistors	7
	Maximum Power Dissipation Pd	115W
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Series	FP30R06W1E3B
	Length	62.8mm
	Height	12mm
	Width	33.8mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V
	Number of Transistors 7
	Maximum Power Dissipation Pd 115W
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Series FP30R06W1E3B
	Length 62.8mm
	Height 12mm
	Width 33.8mm
	Automotive Standard No

Datasheet - FP30R06W1E3BOMA1

Infineon FP30R06W1E3B Series IGBT Module, 600V Max Collector-Emitter Voltage, 115W Maximum Power Dissipation - FP30R06W1E3BOMA1

This IGBT module is a power semiconductor device designed to switch and control high-voltage DC in industrial converters and power systems. It operates across a broad temperature span and is intended for applications where high voltage handling and defined gate control are required.

Features and Benefits:

• 600 V rating enables handling of high-voltage DC circuits
• 115 W maximum dissipation allows sustained power handling
• VGE 20 V gate tolerance supports standard gate-drive voltages
• Low VCE(sat) 2 V reduces conduction losses during on-state
• Seven-transistor topology increases switching density and functionality
• RoHS compliance ensures restriction of hazardous substances

Applications

• Suitable for medium-voltage inverter stages in industrial drives
• Ideal for power conversion in renewable-energy inverters
• Used with motor-control units requiring multiple switching elements
• Can be used for DC-DC conversion in high-voltage systems
• Suitable for laboratory test rigs evaluating high-temperature switching

What thermal extremes can it withstand during operation?

It is rated to function down to −40 °C and up to 150 °C continuous junction temperature.

How does the transistor count influence circuit design?

Having seven transistors permits Compact multi-switch arrangements and reduces external component count for multi-phase or parallel configurations.

What electrical limit defines the off-state voltage capability?

The module's maximum collector-emitter voltage specifies its off-state voltage withstand at 600 V.

How should designers account for power loss in thermal planning?

Use the 115 W maximum power dissipation figure to size heatsinking and thermal interfaces to maintain junction temperature limits.

Are there any environmental supply restrictions indicated for selection?

The unit meets RoHS requirements restricting certain hazardous materials in the assembly.