Infineon FP50R06W2E3BOMA1 IGBT Module 600 V

RS Stock No.:: 244-5399
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FP50R06W2E3BOMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon FP50R06W2E3BOMA1 IGBT Module 600 V

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (15 ชิ้น, ในถาดขนาด 15)*

THB25,642.32

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB27,437.28

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 16 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อถาด*
15 - 15	THB1,709.488	THB25,642.32
30 - 30	THB1,675.275	THB25,129.13
45 +	THB1,641.783	THB24,626.75

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 244-5399
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FP50R06W2E3BOMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	600V
	Number of Transistors	7
	Maximum Power Dissipation Pd	175W
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	1.9V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Width	42.5mm
	Height	12mm
	Length	51mm
	Series	FP50R06W2E3B
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V
	Number of Transistors 7
	Maximum Power Dissipation Pd 175W
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.9V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Width 42.5mm
	Height 12mm
	Length 51mm
	Series FP50R06W2E3B
	Automotive Standard No

Datasheet - FP50R06W2E3BOMA1

Infineon FP50R06W2E3B Series IGBT Module, 175W Maximum Power Dissipation, 600V Maximum Collector‑Emitter Voltage - FP50R06W2E3BOMA1

This IGBT module is a Compact power semiconductor assembly designed to switch and control high-voltage DC loads in industrial power systems. It provides robust switching capability for converters, inverters and motor drives while operating across a wide thermal range in demanding environments. The device is RoHS-compliant and intended for applications that require multiple transistor outputs within a single package.

Features and Benefits:

• 600 V collector-emitter rating enables high-voltage switching capability
• 175 W maximum power dissipation supports substantial continuous load handling
• 1.9 V maximum VCE(sat) reduces conduction losses during on-state operation
• Gate-emitter tolerance of 20 V permits standard gate-drive voltages
• Seven transistors in one package allow multi-channel switching arrangements

Applications

• Suitable for three-phase motor inverter stages requiring multiple switches
• Ideal for industrial DC-DC converters with high-voltage inputs
• Used with power rectifiers in medium-power traction systems
• Can be used for renewable-energy inverters handling variable loads
• Suitable for laboratory or test rigs needing clustered transistor outputs

What ambient temperatures can the device tolerate during operation?

It is rated to operate down to −40 °C and up to 150 °C.

What is the package footprint for integration on assemblies?

The unit measures 42.5 x 51 x 12 mm for Compact mounting and footprint planning.

How does the seven-transistor arrangement affect circuit layout?

Multiple transistors in one housing reduce interconnection length and simplify gate routing for multi-leg topologies.

Are there restrictions on automotive use?

The device is not specified to automotive standards and should not be relied upon for automotive-qualified designs.