Infineon FP15R12W1T4BOMA1 IGBT Module, 28 A 1200 V
- RS Stock No.:
- 244-5385
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FP15R12W1T4BOMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 24 ชิ้น)*
THB26,460.096
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB28,312.296
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 24 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อถาด* |
|---|---|---|
| 24 - 24 | THB1,102.504 | THB26,460.10 |
| 48 - 48 | THB1,080.442 | THB25,930.61 |
| 72 + | THB1,058.841 | THB25,412.18 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 244-5385
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FP15R12W1T4BOMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 28 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V | |
| Number of Transistors | 7 | |
| Maximum Power Dissipation | 130 W | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 28 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage +/-20V | ||
Number of Transistors 7 | ||
Maximum Power Dissipation 130 W | ||
The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives and air conditioning etc.
Electrical features
Low switching losses, low inductive design
Trench IGBT 3
VCEsat with positive temperature coefficient
Low VCEsat
Mechanical features
Al2O3 substrate with low thermal resistance
Compact design
Solder contact technology
Rugged mounting due to integrated mounting clamps
Low switching losses, low inductive design
Trench IGBT 3
VCEsat with positive temperature coefficient
Low VCEsat
Mechanical features
Al2O3 substrate with low thermal resistance
Compact design
Solder contact technology
Rugged mounting due to integrated mounting clamps
For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon FP15R12W1T4BOMA1 IGBT Module, 28 A 1200 V
- Infineon FP15R12W1T4B11BOMA1 IGBT Module Panel Mount
- Infineon FP15R12W1T4B3BOMA1 Common Collector IGBT Module 23-Pin EASY1B, PCB Mount
- Infineon FS100R12W2T7B11BOMA1 IGBT Module, 100 A 1200 V Module
- Infineon FF450R07ME4B11BPSA1 IGBT Module Panel Mount
- Infineon FP50R12KT3BOSA1 IGBT Module Panel Mount
- Infineon FP50R12KT4PBPSA1 IGBT Module, 50 A 1200 V EASY2B
- Infineon FP75R12KT4PBPSA1 IGBT Module, 75 A 1200 V EASY2B
