Infineon IGBT Single Transistor IC, 20 A 1200 V, 3-Pin PG-TO-247
- RS Stock No.:
- 244-2913
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IHW20N120R5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 240 ชิ้น)*
THB15,962.16
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB17,079.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 240 - 240 | THB66.509 | THB15,962.16 |
| 480 - 480 | THB66.215 | THB15,891.60 |
| 720 + | THB65.92 | THB15,820.80 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 244-2913
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IHW20N120R5XKSA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | IGBT Single Transistor IC | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 20A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 288W | |
| Package Type | PG-TO-247 | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.55V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 % | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 5.21mm | |
| Series | Resonant Switching | |
| Width | 16.13 mm | |
| Length | 42mm | |
| Standards/Approvals | IEC61249-2-21, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type IGBT Single Transistor IC | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 20A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 288W | ||
Package Type PG-TO-247 | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.55V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 % | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 5.21mm | ||
Series Resonant Switching | ||
Width 16.13 mm | ||
Length 42mm | ||
Standards/Approvals IEC61249-2-21, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IHW20N120R5XKSA1 is powerful mono lithic body diod ewitlow forward voltage designed for softcommutation. It has TRENCHSTOPTM technology also very tight parameter distribution. It is high ruggedness and temperature stable behavior.
Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCEsat
LowEMI
Pb-free lead plating
RoHS compliant
Halogen free(according to IEC61249-2-21)
Complete product spectrum and Pspice Models
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IHW20N120R5XKSA1 IGBT Single Transistor IC 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT Single Transistor IC 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IKW75N65RH5XKSA1 IGBT Single Transistor IC 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT Single Transistor IC 3-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon IGBT Single Transistor IC 3-Pin TO-247, Through Hole
- Infineon 60 A 600 V Through Hole
- Infineon IHW30N120R5XKSA1 60 A 1200 V Through Hole
- Infineon 60 A 1200 V Through Hole
